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【2h】

Solid-source molecular-beam epitaxy for monolithic integration of laser emitters and photodetectors on GaAs chips

机译：固体源分子束外延，用于GaAs芯片上的激光发射器和光电探测器的单片集成

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A solid-source molecular beam epitaxy has been used to grow Al-free InGaP/GaAs/InGaAs in-plane side emitting laser (IPSELs) devices on foundry available GaAs integrated circuits (IC) chips with integrated metal–semiconductor–metal photodetectors. The GaAs IC chips were cleaned at low temperature (470 °C) by monoatomic hydrogen prior to epitaxy. Br2 reactive ion etching was used after growth to make laser facets and parabolic mirrors for vertical emission. Using these techniques, we obtained laser emission from the integrated IPSEL devices, suggesting that these devices may be an alternative approach to that offered by vertical cavity surface emitting lasers in the fabrication of optoelectronic integrated devices.
机译：固态源分子束外延技术已被用于在具有集成金属-半导体-金属光电探测器的铸造可用GaAs集成电路（IC）芯片上生长无Al InGaP / GaAs / InGaAs面内发射激光（IPSEL）器件。外延生长之前，通过单原子氢在低温（470 C）下清洁GaAs IC芯片。生长后使用Br2反应离子刻蚀制作激光刻面和抛物面反射镜以进行垂直发射。使用这些技术，我们从集成的IPSEL器件中获得了激光发射，表明这些器件可能是光电集成器件制造中垂直腔表面发射激光器提供的替代方法。

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